Zusammenfassung
In der bisher behandelten Planartechnik wächst das Feldoxid ganzflächig auf der Siliziumoberfläche auf. Anschließend werden die Stellen, an denen Diffusionen bzw. Implantationen erfolgen sollen, durch nasschemisches Ätzen freigelegt. Die entstehenden Stufen zwischen der Oberfläche des Feldoxides und dem freigeätzten Siliziumsubstrat führen während der Fotolackbeschichtung zu Lackansammlungen und begrenzen damit die Auflösung der Fotolithografietechnik.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Rights and permissions
Copyright information
© 2002 B. G. Teubner Stuttgart/Leipzig/Wiesbaden
About this chapter
Cite this chapter
Hilleringmann, U. (2002). Erweiterungen zur Höchstintegration. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Silizium-Halbleitertechnologie. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_11
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-94119-0_11
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-519-20149-6
Online ISBN: 978-3-322-94119-0
eBook Packages: Springer Book Archive