Zusammenfassung
Bipolartransistoren weisen im Vergleich zu den MOS-Bauelementen hohe Schaltgeschwindigkeiten bis weit in den GHz-Bereich hinein in Verbindung mit großen Steilheiten und damit hervorragenden Treibereigenschaften auf. Jedoch ist der Flächenbedarf dieser Schaltungselemente infolge der erforderlichen Isolationen — zumindest in den SBC(„Standard Buried Collector“-) Techniken — im Vergleich zu den MOS-Strukturen sehr hoch.
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© 2004 B.G. Teubner Verlag / GWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden
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Hilleringmann, U. (2004). Bipolar-Technologie. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Teubner Studienskripten Soziologie. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8_12
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-94072-8_12
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-519-30149-3
Online ISBN: 978-3-322-94072-8
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