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Gunn-Element und das thermische Rauschen heißer Elektronen

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Fluktuationen und Dynamik aktiver Halbleiter-Bauelemente
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Zusammenfassung

Eine Reihe von III-V-Verbindungen, wie z. B. GaAs und InP (sowie deren Mischverbindungen z.B. InAlAs) haben eine v(E)-Kennlinie, die zwischen einer kritischen Feldstärke E c (3 − 10 kV/cm, je nach Material) und einer maximalen Feldstärke E m (20 − 40 kV/cm), einen fallenden Ast aufweist (Bild 5.1).

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© 1998 B. G. Teubner Stuttgart · Leipzig

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Harth, W. (1998). Gunn-Element und das thermische Rauschen heißer Elektronen. In: Fluktuationen und Dynamik aktiver Halbleiter-Bauelemente. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-94036-0_5

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-94036-0_5

  • Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag

  • Print ISBN: 978-3-519-06255-4

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