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Halbleiterdioden

  • Erwin Böhmer
Part of the Viewegs Fachbücher der Technik book series (VFT)

Zusammenfassung

Bringt man nach Bild 1 neutrales n- und p-Silizium zusammen, so diffundieren über den „pn-Über-gang“ (junction) Löcher in die n-Zone und Elektronen in die p-Zone (Ausgleichsbestreben). Durch den Zufluß von Löchern bzw. den Abfluß von Elektronen ergibt sich eine Potentialanhebung der n-Zone gegenüber der p-Zone. Die entstehende „Potentialschwelle“ wirkt mit ihrem elektrischen Feld dem Ausgleichsbestreben entgegen. Es bildet sich die Diffusionsspannung UD über einem an freien Ladungsträgern verarmten Übergangsgebiet, der sog. Sperrschicht. Versehen mit beiderseitigen Metallkontakten entsteht eine Diode1).

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Literatur

  1. [3–1]
    Bystron, K. und Borgmeyer, J.: Grundlagen der Technischen Elektronik, 2. Auflage, Carl Hanser Verlag, München 1990.Google Scholar
  2. [3–2]
    Hering, E., Bressler, K. und Gutekunst, J.: Elektronik für Ingenieure, 3. Auflage, Springer-Verlag, Berlin 1998.CrossRefGoogle Scholar
  3. [3–3]
    Paul R.: Elektronische Halbleiterbauelemente, 3. Auflage, Teubner-Verlag, Stuttgart 1992.CrossRefGoogle Scholar
  4. [3–4]
    Paul, R. (Hrsg.): Handbuch der Informationstechnik und Elektronik, Bd. 6/1, Diskrete Halbleiterbauelemente, Hüthig-Verlag, Heidelberg 1989.Google Scholar
  5. [3–5]
    Reisch, M.: Elektronische Bauelemente, Springer-Verlag, Berlin 1998.CrossRefGoogle Scholar
  6. [3–6]
    Reuber, C. (Hrsg.): Handbuch der Informationstechnik und Elektronik, Bd. 8, Sensoren und Wandlerbauelemente, Hüthig-Verlag, Heidelberg 1989.Google Scholar

Copyright information

© Springer Fachmedien Wiesbaden 2000

Authors and Affiliations

  • Erwin Böhmer

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