Beschreibung der Herstellungsprozesse

Zusammenfassung

Zur Realisierung des Teilsystems optischer Wellenleiter, CMOS-kompatibler Fotodetektor und mikroelektronische Schaltung bieten sich entsprechend der o. a. Überlegungen folgende Integrationstechniken an:

• ein zweistufiger, sequentieller Prozeß mit der Wellenleiterdeposition nach der Integration der CMOS-Schaltungen in SWAMI-LOCOS-Technik mit Standard-Feldoxiddicke, evtl. einschließlich Verdrahtung und Test der mikroelektronischen Komponenten, als modulare Bauform;

• ein vollintegrierter Prozeß unter Ausnutzung der Schichtfolge der CMOS-Technik, speziell des verstärkten Feldoxides als optischer Isolator und des Zwischenoxides als Lichtwellenleiter;

• die Integration der CMOS-Schaltungen in SOI-Technik auf der Grundlage eines Rekristallisationsverfahrens vor oder nach der Fertigung der Lichtwellenleiter.