Zusammenfassung
Die Silizium-Halbleitertechnologie zeichnet sich durch eine sehr rapide Entwicklungsgeschichte aus: Innerhalb von 2–3 Jahren steht jeweils eine neue Generation an Speicherbausteinen mit erheblich gesteigerter Speicherkapazität zur Verfügung (Bild 2). Ein wesentliches Merkmal ist dabei die bisher uneingeschränkt mögliche Strukturverfeinerung bis weit in den Submikrometerbereich hinein /9/, die durch eine enorm gestiegene Prozeßaufweitung und Komplexität erreicht werden konnte.
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© 1995 B. G. Teubner Stuttgart
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Hilleringmann, U. (1995). Basistechnologien auf Siliziumsubstrat. In: Mikrosystemtechnik auf Silizium. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-92766-8_2
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-92766-8_2
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-519-06158-8
Online ISBN: 978-3-322-92766-8
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