Feldeffekt-Transistoren

Zusammenfassung

Das Wort Transistor entstand aus der Bezeichnung „transfer resistor“. Es gibt mehrere Transistorvarianten. Bild 1 zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere „Kanalzone“ von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel aus dem Substrat und der damit verbundenen Gateschicht des entgegengesetzten Leitungstyps. Die Gatezone hat den Anschluß „Gate“ G, der für die Stromleitung vorgesehene Kanal hat die Anschlüsse „Source“ S und „Drain“ D.