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Modelle ausgewählter Halbleiterbauelemente

  • Rainer Laur
Chapter

Zusammenfassung

Entwickler elektronischer Schaltungen greifen auf Schaltungssimulationsprogramme zurück, die das Verhalten einer Schaltung mit großer Genauigkeit voraussagen. Schaltungssimulationsprogramme lösen die Netzwerkgleichungen, die ein System bestehend aus gewöhnlichen Differentialgleichungen und algebraischen Gleichungen (DAE — Differential Algebraic Equations) bilden, mit numerischen Methoden. Die DAE resultieren aus den Kirchhoffschen Regeln und aus Gleichungen oder Gleichungssystemen, die das Klemmenverhalten der Netzwerkkomponenten (Transistoren, Dioden, Widerstände, Kapazitäten, Induktivitäten, etc.) beschreiben. Die Gleichungen oder Gleichungssysteme der Netzwerkkomponenten bilden gleichsam ein mathematisches Modell der jeweiligen Komponente.

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Literatur

  1. [1.1]
    Berkner, J.: Kompaktmodelle für Bipolartransistoren. Expert Verlag, Renningen, 2002Google Scholar
  2. [1.2]
    Beaufy, R; Sparkes, J.J.: The Junction Transistor a Charge Controlled Device, ATE J., 13, Oct. 1957, pp. 310–324Google Scholar
  3. [1.3]
    Gummel, H.K., Poon, H.С.: An Integral Charge Control Model of Bipolar Transistors. Bell Tech. J., May-June 1970Google Scholar
  4. [1.4]
    Taur, Y., Ning, Т.Н.: Fundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge University Press, 1998Google Scholar
  5. [1.5]
    Sze, S.M.: Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, 1981Google Scholar
  6. [1.6]
    Hoffmann, K: VLSI-Entwurf. R. Oldenbourg Verlag, 1993Google Scholar
  7. [1.7]
    Baker, R.J., Li, H.W., Boyce, D.E.: CMOS Circuit Design. Layout, and Simulation, IEEE Press, 1998Google Scholar
  8. [1.8]
    Muller, R.S., Kamins, T.I.: Device Electronics for Integrated Circuits. John Wiley and Sons, 1986Google Scholar
  9. [1.9]
    Till, W.C., Luxon, J.T.: Integrated Circuits: Materials, Devices, and Fabrication. Prentice Hall, 1982Google Scholar
  10. [1.10]
    Liou, J.J., Ortiz-Conde, A., Garcia-Sanchez, F.: Analysis and Design of MOSFETs. Kluwer Academic Publisher, 1998CrossRefGoogle Scholar
  11. [1.11]
    Gray, P.R., Meyer, R.G.: Analysis and Design of Analog Integrated Circuits. John Wiley and Sons, 1993Google Scholar
  12. [1.12]
    Cheng, Y., Hu, Ch.: MOSFET Modeling & BSIM3 User’s Guide. Kluwer Academic Publisher, 1999Google Scholar
  13. [1.13]
    Neamen, D.A.: Electronic Circuit Analysis and Design, Irwin, 1996Google Scholar
  14. [1.14]
    Engl, W.L. (ed.): Process and Device Modelling. North-Holland, 1985Google Scholar
  15. [1.15]
    Neamen, D.A., Semiconductor Physics & Devices. Irwin, 1997Google Scholar
  16. [1.16]
    Johns, D.A., Martin, K.: Analog integrated circuit design. John Wiley & Sons, New York, 1997Google Scholar
  17. [1.17]
    Möschwitzer, A., Lunze, K.: Halbleiterelektronik. Verlag Technik, Berlin, 1988Google Scholar
  18. [1.18]
    Tsividis, Y.: Operation and Modelling of the MOS Transistor. McGraw-Hill, New York, 1987Google Scholar
  19. [1.19]
    Roulston, D.: Semiconductor Devices. McGraw-Hill, New York, 1990Google Scholar
  20. [1.20]
    Antognetti, P., Massobrio, G.: Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill, New York, 1988Google Scholar
  21. [1.21]
    Getreu, I.: Modelling of the Bipolar Transistor. Elsevier, Amsterdam, 1978Google Scholar

Links

  1. [1.22]
    http://www.ansoft.com, SIMPLORER 6 SV
  2. [1.23]
    http://www.cadence.com, PSpice, V9.1
  3. [1.24]
  4. [1.25]
    http://www.pspice.com, Spice-Modelle

Copyright information

© Springer Fachmedien Wiesbaden 2003

Authors and Affiliations

  • Rainer Laur

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