Zusammenfassung
Ein Feldeffekttransistor — im folgenden kurz mit der üblichen Abkürzung FET bezeichnet — besteht im Prinzip aus einem Stromkanal aus dotiertem Halbleitermaterial, dessen Leitfähigkeit unter dem Einfluß eines elektrischen Feldes beeinflußt werden kann.
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© 1989 B. G. Teubner Stuttgart
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Kirschbaum, HD. (1989). Feldeffekttransistoren. In: Transistorverstärker. Teubner Studienskripten (TSS). Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-88919-5_12
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-88919-5_12
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-519-30062-5
Online ISBN: 978-3-322-88919-5
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