Leistungstransistoren und Leistungsschaltungen

Zusammenfassung

Leistungstransistoren sind ausgelegt für relativ große Ströme und Verlustleistungen (> 10 W). Ihr „thermischer Innenwiderstand“ ist kleiner als 15 K/W. Die dem Transistor zugeführte und in Wärme umgesetzte (Verlust-)Leistung P muß notfalls über einen Kühlkörper nach außen so abgeleitet werden, daß eine übermäßige Erwärmung des Kristalls vermieden wird. Bei Ge-Transistoren darf die Sperrschichttemperatur T_j höchstens auf 75 ... 90 ^°C ansteigen, bei Si-Transistoren auf 150 ... 200 ^°C. Im stationären Zustand gilt für die „totale“ Verlustleistung eines Bipolartransistors:

$${{P}_{tot}}={{U}_{CE}}\cdot {{I}_{C}}+{{U}_{BE}}\cdot {{I}_{B}}\approx {{U}_{CE}}\cdot {{I}_{C}}$$

(1)

$$Damit erh\ddot{a}lt man: {{T}_{j}}={{P}_{tot}}\cdot {{R}_{th JU}}+{{T}_{U}}$$

(2)

für die Temperatur der besonders beanspruchten Kollektor-Basis-Sperrschicht.