Zusammenfassung
Die Grenzen des Anlaufgebiets engen den Aussteuerbereich der beschriebenen quadratischen Elemente ein. Der zulässige Eingangsspannungsbereich, auch Eingangsdynamikbereich genannt, ist typen- und schaltungsabhängig. Beim PNFET sind die Grenzen gemäß Bild 12 zu berücksichtigen. Beim MOSPET entfallen zwar die Gate-Dioden, dafür sind aber die Bulk-Dioden (Bild 11) vorhanden. Die Berechnung der Aussteuergrenzen erfolgt unter der Annahme, daß jeweils die Feldeffekttransistoren gleiche Parameter ß und Uth haben.
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© 1979 Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen
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Gad, H. (1979). Aussteuergrenzen beim Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente. In: Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente. Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen, vol 2866. VS Verlag für Sozialwissenschaften, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-88459-6_7
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-88459-6_7
Publisher Name: VS Verlag für Sozialwissenschaften, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-531-02866-8
Online ISBN: 978-3-322-88459-6
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