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GaAs-MeSFET mit Streifenleitungsanschlüssen (11)

  • Heinz Beneking
  • Jörg Naumann
  • Heinz Storck
Chapter
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Part of the Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen book series (FOLANW, volume 2295)

Zusammenfassung

In diesem Abschnitt soll über die Herstellung eines GaAs-Schottkygate-FETs berichtet werden. In diesem Bauelement wird der Strom zwischen Source und Drain durch die Raumladungszone eines Schottkykontaktes gesteuert (12). In Abb. 2 ist der schematische Aufbau zu sehen. Der Strom fließt vom Sourcekontakt durch die dünne n-leitende Epitaxieschicht zum Drainkontakt.

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Copyright information

© Westdeutscher Verlag, Opladen 1973

Authors and Affiliations

  • Heinz Beneking
    • 1
  • Jörg Naumann
    • 1
  • Heinz Storck
    • 1
  1. 1.Institut für HalbleitertechnikRhein. -Westf. Techn. Hochschule AachenDeutschland

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