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Meßtechnische Untersuchungen an GaAs-Einkristallen [64]

  • Heinz Beneking
  • Ulrich Langmann
  • Peter Lenz
Part of the Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen book series (FOLANW, volume 2382)

Zusammenfassung

Am Beginn der meßtechnischen Untersuchungen steht der Aufbau einer experimentellen Anlage für Standard-Meßverfahren. Zu diesen gehören, wie in Kapitel 1 bereits angedeutet, Leitfähigkeits- und Halleffektmessungen. Der spezifische Widerstand ϑ (Kehrwert der Leitfähigkeit σ) wird heute bei GaAs unter anderem mit der van-der-Pauw-Methode [56] gemessen. Die Hallkonstante RH läßt sich an der gleichen Meßstruktur (Halbleiterscheibe mit ohmschen,punktförmigen Kontakten an der Peripherie der Scheibe) bestimmen. Der Quotient aus RH und ϱ ergibt die Beweglichkeit,μ. Die Ladungsträgerkonzentration (i. a. Elektronenkonzentration n) läßt sich aus RH mit n = 1/gRH berechnen (q ist die Elementarladung). Mit μ und n liegen dann die zunächst wichtigsten Daten für die elektrischen Eigenschaften des Kristalls vor. Bei den gewählten Verfahren sind diese Angaben über μ und n aber Mittelungen über die ganze Kristallscheibe. Aussagen über die Homogenität in Bezug auf, μ und n lassen sich zunächst nicht machen.

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Copyright information

© Westdeutscher Verlag GmbH, Düsseldorf 1974

Authors and Affiliations

  • Heinz Beneking
    • 1
  • Ulrich Langmann
    • 1
  • Peter Lenz
    • 1
  1. 1.Institut für Halbleitertechnik der Rhein.-WestfTechn. Hochschule AachenDeutschland

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