Meßtechnische Untersuchungen an GaAs-Einkristallen [64]

Zusammenfassung

Am Beginn der meßtechnischen Untersuchungen steht der Aufbau einer experimentellen Anlage für Standard-Meßverfahren. Zu diesen gehören, wie in Kapitel 1 bereits angedeutet, Leitfähigkeits- und Halleffektmessungen. Der spezifische Widerstand ϑ (Kehrwert der Leitfähigkeit σ) wird heute bei GaAs unter anderem mit der van-der-Pauw-Methode [56] gemessen. Die Hallkonstante R_H läßt sich an der gleichen Meßstruktur (Halbleiterscheibe mit ohmschen,punktförmigen Kontakten an der Peripherie der Scheibe) bestimmen. Der Quotient aus R_H und ϱ ergibt die Beweglichkeit,μ. Die Ladungsträgerkonzentration (i. a. Elektronenkonzentration n) läßt sich aus R_H mit n = 1/gR_H berechnen (q ist die Elementarladung). Mit μ und n liegen dann die zunächst wichtigsten Daten für die elektrischen Eigenschaften des Kristalls vor. Bei den gewählten Verfahren sind diese Angaben über μ und n aber Mittelungen über die ganze Kristallscheibe. Aussagen über die Homogenität in Bezug auf, μ und n lassen sich zunächst nicht machen.