Zusammenfassung
An die Züchtung von Laser- und Halbleiter-Einkristallen werden hinsichtlich Reinheit, Fehlerfreiheit und Homogenität der Kristalle größte Anforderungen gestellt (1). Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, wurde eine spezielle Hochvakuum-Hochtemperatur-Kristallzuchtanlage entwickelt und gebaut. Abb.1 zeigt ein Foto der Gesamtanlage mit Stromversorgungseinheit, Regeleinheit, Registriereinheit, Vakuumpumpstand und eigentlicher Zuchtapparatur. Abb.2 zeigt die eigentlicher Zuchtapparatur (Hochvakuumrezipient mit Graphitofen und Zieheinrichtung) im Schema.
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© 1974 Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen
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Recker, K., Wallrafen, F. (1974). Apparaturen. In: Züchtung, Kristallchemie und -physik von Laser- und Halbleiter-Einkristallen. Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen, vol 2469. VS Verlag für Sozialwissenschaften, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-88070-3_2
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-88070-3_2
Publisher Name: VS Verlag für Sozialwissenschaften, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-531-02469-1
Online ISBN: 978-3-322-88070-3
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