Zusammenfassung
Zur Erfassung des nichtlinearen Übertragungsverhaltens von Feldeffekttransistoren im. Analogverstärkerbetrieb (Sourceschaltung) ist der Drainstrom ID als Funktion der Gate-Source-Spannung UGS für große DrainSource-Spannungen UDS (Sättigungsgebiet) zu beschreiben. Hierzu gibt es eine Vielzahl Ansätze/4 bis 20 /. Jedoch ist sowohl bei exakt physikalisch begründeten als auch bei heuristisch gefundenen Modellen bei der Schwellspannung Uth bzw. der Abschnürspannung eine Grenze gesetzt. Um aber die angestrebte Großsignalanalyse durchführen zu können, darf eine solche Grenze nicht zugelassen werden, da sonst die Kennlinienkrümmungen nicht ausreichend beschrieben werden.
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© 1981 Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen
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Gad, H. (1981). Entwurf des Modells. In: Zur analogen Großsignalaussteuerung von Feldeffekttransistoren unter Berücksichtigung des Subthreshold-Gebietes. Forschungsbericht des Landes Nordrhein-Westfalen, vol 3013. VS Verlag für Sozialwissenschaften, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-87670-6_3
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-87670-6_3
Publisher Name: VS Verlag für Sozialwissenschaften, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-531-03013-5
Online ISBN: 978-3-322-87670-6
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