Zusammenfassung
Zur Beobachtung der Topographieerscheinungen bei unebenen und zerklüfteten Werkstoffoberflächen (z. B. bei Bruchflächen, bei angeätzten Schliffen oder bei spanend bearbeiteten Flächen) sind optische Einrichtungen mit hinreichender Schärfentiefe, Auflösung und Vergrößerung erforderlich. Bei lichtmikroskopischer Beobachtung (vgl. V 8) nimmt der scharf abbildbare Tiefenbereich einer Bruchfläche rasch mit der Vergrößerung ab. In Bild 1 gibt die gestrichelte Kurve den Zusammenhang zwischen Schärfentiefe S und förderlicher Vergrößerung Vf bzw. lateraler Punktauflösung X für das Lichtmikroskop (LM) wieder. X gibt den Abstand zweier visuell gerade noch getrennt erkennbarer Punkte an und kann — bedingt durch das kurzwellige Ende des sichtbaren Lichtes — nicht kleiner als 0.2 μm werden. Da andererseits ein Abstand von 0.2 mm auf einem vergrößerten Bild noch gut zu erkennen ist, gilt
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Literatur
L. Reimer u. G. Pfefferkorn, Rasterelektronenmikroskopie, 2. Aufl., Springer, Berlin, 1977.
L. Engel u. H. Klingele, Rasterelektronenmikroskopische Untersuchung von Metallschäden, 2. Aufl., Gerling, Köln, 1982.
R. Mitsche et al., Anwendung des Raterelektronenmikroskopes bei Eisen- und Stahlwerkstoffen, Radex Rundschau, Heft 3/4 (1978), 575/890.
L. Engel et al., Rasterelektronenmikroskopische Untersuchungen von Kunststoffschäden, Hanser, München, 1978.
Rights and permissions
Copyright information
© 1987 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig
About this chapter
Cite this chapter
Macherauch, E. (1987). Rasterelektronenmikroskopie. In: Praktikum in Werkstoffkunde. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-86116-0_49
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-86116-0_49
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-528-63306-6
Online ISBN: 978-3-322-86116-0
eBook Packages: Springer Book Archive