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Leistungstransistoren und Leistungsschaltungen

  • Erwin Böhmer

Zusammenfassung

Leistungstransistoren sind ausgelegt für relativ große Ströme und Verlustleistungen (> 10 W). Ihr „thermischer Innenwiderstand“ ist kleiner als 15K/W. Die dem Transistor zugeführte und in Wärme umgesetzte (Verlust-) Leistung P muß notfalls über einen Kühlkörper nach außen so abgeleitet werden, daß eine übermäßige Erwärmung des Kristalls vermieden wird. Bei Ge-Transistoren darf die Sperrschichttemperatur Tj höchstens auf 75 ... 90°C ansteigen, bei Si-Transistoren auf 150 ... 200 °C. Im stationären Zustand gilt für die „totale“ Verlustleistung eines Bipolartransistors:
$${P_{tot}} = {U_{CE}} \cdot {I_C} + {U_{BE}} \cdot {I_B} \approx {U_{CE}} \cdot {I_C}$$
(1)
Damit erhält man:
$$Damit\;erh\ddot alt\;man:{T_j} = {P_{tot}}\cdot{R_{thJU}} + {T_U}$$
(2)
für die Temperatur der besonders beanspruchten Kollektor-Bàsis-Sperrschicht.

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Literaturverzeichnis

  1. [19–1]
    RCA-Buch: Halbleiterschaltungen der Leistungselektronik, A. Neye-Enatechnik, Hamburg 1971.Google Scholar
  2. [19–2]
    AEG-Telefunken: Laborbuch, Band 5, Elitera-Verlag, Berlin 1971.Google Scholar
  3. [19–3]
    VALVO GmbH: SOAR, Sicherer Arbeitsbereich für Transistoren, VALVO Berichte, Bd. 19, Heft 5, 1975.Google Scholar
  4. [19–4]
    AEG-Telefunken: Telefunken-Laborbuch, Band 4, Franzis-Verlag, München 1968.Google Scholar
  5. [19–5]
    Thomson-CSF: Handbuch Schalttransistoren, München 1979.Google Scholar
  6. [19–6]
    Macek, O.: Schaltnetzteile in Motorsteuerungen, Hüthig-Verlag, Heidelberg 1982.Google Scholar
  7. [19–7]
    Wüstehube, J.: Schaltnetzteile, expert verlag, Grafenau/Württ., 1979.Google Scholar
  8. [19–8]
    Schrenk, H.: Bipolare Transistoren, Springer-Verlag, Berlin 1978.CrossRefGoogle Scholar
  9. [19–9]
    Rint, C.: Handbuch für Hochfrequenz- und Elektrotechniker, Band 5, Hüthig-Verlag, Heidelberg 1981.Google Scholar
  10. [19–10]
    Stengl, J. P. und Tihanyi, J.: Leistungs-MOSFET-Praxis, Pflaum Verlag, München, 1985.Google Scholar
  11. [19–11]
    Tietze, U. und Schenk, Ch.: Halbleiterschaltungstechnik, 7. Auflage, Springer-Verlag, Berlin 1985.Google Scholar
  12. [19–12]
    Jansen, J. H.: Transistor-Handbuch, Franzis-Verlag, München 1980.Google Scholar
  13. [19–13]
    Motorola: Voltage Regulator Handbook, 1976.Google Scholar
  14. [19–14]
    Bergmann, D.: Schaltspannungsregler, ELEKTRONIK 1978, Heft 14, S. 69 ff.Google Scholar
  15. [19–15]
    Möller, D.: Monolithisch integrierte Steuer-, Treiber- und Überwachungs-ICs für Schaltregler, elektronik industrie, Heft 10, 1979, S. 24–29.Google Scholar
  16. [19–16]
    N. N.: Integrierte Schaltkreise zur Steuerung von Schaltnetzteilen, elektronik industrie, Heft 9, 1981, S. 23 ff.Google Scholar
  17. [19–17]
    Kilgenstein, Otmar: Schaltnetzteile in der Praxis, Vogel Buchverlag, Würzburg, 1986.Google Scholar
  18. [19–18]
    Roespel, G.: Bemessen von Speicherdrosseln mit SIFERRIT-Kernen in Schaltnetzteilen, Siemens-bauteile report 15 (1977) Heft 6, S. 237 bis 240.Google Scholar
  19. [19–19]
    Roespel, G. und Zenger, M.: Ferritkernformen für die Leistungselektronik, Berechnungsunterlagen und Bemessungsbeispiele für Übertrager und Drosseln, Siemens-bauteile report 17 (1979) Heft 5, S. 209 bis 214.Google Scholar

Copyright information

© Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig 1989

Authors and Affiliations

  • Erwin Böhmer

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