Zusammenfassung
Leistungstransistoren sind ausgelegt für relativ große Ströme und Verlustleistungen (> 10 W). Ihr „thermischer Innenwiderstand“ ist kleiner als 15 K/W. Die dem Transistor zugeführte und in Wärme umgesetzte (Verlust-)Leistung P muß notfalls über einen Kühlkörper nach außen so abgeleitet werden, daß eine übermäßige Erwärmung des Kristalls vermieden wird. Bei Ge-Transistoren darf die Sperrschichttemperatur Tj höchstens auf 75 ... 90 °C ansteigen, bei Si-Transistoren auf 150 ... 200 °C. Im stationären Zustand gilt für die „totale“ Verlustleistung eines Bipolartransistors:
. Damit erält man:
für die Temperatur der besonders beanspruchten Kollektor-Basis-Sperrschicht.
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Böhmer, E. (1987). Leistungstransistoren und Leistungsschaltungen. In: Elemente der angewandten Elektronik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-85557-2_20
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