Zusammenfassung
Das Wort Transistor entstand aus der Bezeichnung „transfer resistor“. Es gibt mehrere Transistorvarianten. Bild 1 zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-Feldeffekt-Transistors. Eine innere „Kanalzone“ von n- oder p-leitendem Typ wird umgeben von einem Mantel aus dem Substrat und der damit verbundenen Gateschicht des entgegengesetzten Leitungstyps. Die Gatezone hat den Anschluß „Gate“ G, der für die Stromleitung vorgesehene Kanal hat die Anschlüsse „Source“ S und „Drain“ D.
This is a preview of subscription content, log in via an institution.
Buying options
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Learn about institutional subscriptionsPreview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Literatur
Müller, R.> Bauelemente der Halbleiter-Elektronik, 3. Auflage, Springer-Verlag, Berlin 1987.
Schwahn, H.> Das FET-Kochbuch, Texas Instruments, Freising 1977.
Jansen, J. H.> Transistor-Handbuch, Franzis-Verlag, München 1980.
Lancaster, D.> Das CMOS-Kochbuch, IWT-Verlag, Vaterstetten 1980.
Unger, H. G., Schultz, W.> Elektronische Bauelemente und Netzwerke II, Verlag Vieweg, Braunschweig 1981.
Rühl, H.> Matrizen und Determinanten in elektronischen Schaltungen, Hüthig-Verlag, Heidelberg 1977.
Hayt, W.H. und Neudeck, G. W.> Electronic Circuit Analysis and Design, Houghton Mifflin Comp., Boston 1976.
Hoefer, E.E. und Nielinger, H.: SPICE. Analyseprogramm für elektronische Schaltungen, Springer Verlag, Berlin 1985.
Rights and permissions
Copyright information
© 1987 Friedr. Vieweg & Sohn Verlagsgesellschaft mbH, Braunschweig
About this chapter
Cite this chapter
Böhmer, E. (1987). Feldeffekt-Transistoren. In: Elemente der angewandten Elektronik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-85557-2_12
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-85557-2_12
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-528-44090-9
Online ISBN: 978-3-322-85557-2
eBook Packages: Springer Book Archive