Zusammenfassung
Die Tatsache, daß die in eine MOS-Kapazität eingebrachte Minoritätsladung im Zustand tiefer Verarmung eine Zeitlang gespeichert werden kann, wird in räumlich benachbarten MOS-Kapazitäten zu sog. ladungsgekoppelten Bauelementen (CTD, Charge transfer devices) ausgenutzt. Ihre Funktion beruht auf
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der temporären Speicherung eines Minoritätsnutzladungspaketes im “Potentialbecher” unter einer MOS-Kapazität und
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dem Weitertransport dieses Paketes in die Potentialmulde einer benachbarten, Kapazität
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also einer räumlich-zeitlichen Verlagerung eines Informationszustandes durch ein Taktsignal. Dieser Vorgang wiederholt sich von Kondensator zu Kondensator.
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© 1989 B. G. Teubner Stuttgart
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Paul, R. (1989). Ladungstransferelemente. In: Elektronische Halbleiterbauelemente. Teubner-Studienskripten. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-84881-9_7
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-84881-9_7
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-519-20112-0
Online ISBN: 978-3-322-84881-9
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