Dielektrische Eigenschaften von Halbleitern

Zusammenfassung

In den vorangegangenen Kapiteln wurden die dielektrischen Eigenschaften von Isolatoren eingehend untersucht. Halbleiter, die sich, wie in Abschnitt 1 erläutert, von Isolatoren prinzipiell nur durch einen geringeren Bandabstand unterscheiden, blieben dabei nahezu unberücksichtigt. Aber gerade die reduzierte Bandlückenenergie W _g , die u.a. die thermische Anhebung von gebundenen Elektronen aus dem Valenzband ins Leitungsband und damit die Ausbildung eines freien Ladungsträgergases ermöglicht, bedingt wesentliche zusätzliche Effekte, die bei den dielektrischen Eigenschaften berücksichtigt werden müssen. Insbesondere aufgrund der wachsenden Bedeutung der integrierten Mikrowellentechnik, der Optoelektronik und der integrierten Optik ist eine einfache Beschreibung der dielektrischen Eigenschaften durch eine statische bzw. optische Dielektrizitätskonstante nicht ausreichend. In diesem Abschnitt sollen daher die besonderen Merkmale der dielektrischen Eigenschaften von Halbleitern untersucht werden.