Der pn-Übergang

Zusammenfassung

Silizium-Dioden werden im Rahmen der Planartechnologie durch Diffusion oder Implantation hergestellt. Es werden z. B. ins homogen dotierte n-leitende Grundmaterial an dafür vorgesehenen Stellen Bor-Atome eingebracht, die eine oberflächennahe p-leitende Schicht erzeugen. Dabei entsteht ein planarer pn-Übergang, wie er für zahlreiche Siliziumbauelemente typisch ist (z. B. für die Source- und Drain-Inseln im MOS-Transistor; für die Aufeinanderfolge von Emitter- und Basis-Schicht beim Bipolartransistor u. a.). Den Querschnitt einer planaren Silizium-Diode zeigt Abb. 4.1, die Strom-Spannungskennlinien für Germanium, Silizium und Galliumarsenid bei T= 25°C werden in Abb. 4.2 dargestellt