Zusammenfassung
Der folgende Satz von 6 Gleichungen, davon 5 partielle Differentialgleichungen 1. Ordnung, beschreibt alle Phänomene der Siliziumbauelemente im technischen Betriebsbereich −55°C ≤ T ≤ +125°C. Vier Gleichungen verknüpfen orts- und zeitabhängig die Ladungsträgerkonzentrationen (oder Dichten) \(n(\vec r,t),p(\vec r,t)\) und die Stromdichten \({\vec j_n}(\vec r,t),{\vec j_p}(\vec r,t)\) von Elektronen und Löchern (Indizes n und p) mit Hilfe von Koeffizienten und Summanden. Eine weitere Gleichung formuliert die Gesamtstromdichte aus den beiden Anteilen der Ladungsträger. Die sechste Gleichung ist die Poisson-Gleichung, die die elektrische Verschiebungsdichte \(\vec D(\vec r,t)\) mit der Raumladungsdichte \(\rho (\vec r,t)\) verknüpft.
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© 2003 B. G. Teubner Verlag / GWV Fachverlage GmbH, Wiesbaden
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Wagemann, HG., Schönauer, T. (2003). Grundlagen der Halbleiterphysik für Siliziumbauelemente. In: Silizium-Planartechnologie. Teubner Studienbücher Physik. Vieweg+Teubner Verlag. https://doi.org/10.1007/978-3-322-80070-1_2
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-80070-1_2
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag
Print ISBN: 978-3-519-00467-7
Online ISBN: 978-3-322-80070-1
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