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Eigenschaften der Halbleiterdioden

  • Walter Guggenbühl
  • Max J. O. Strutt
  • Willy Wunderlin
Part of the Lehr- und Handbücher der Ingenieurwissenschaften book series (LHI, volume 25)

Zusammenfassung

Ein p-n-Übergang wird durch einen Halbleitereinkristall gebildet, in welchem zwei Zonen mit verschiedenem Leitungstypus (p- und n-leitend) aneinandergrenzen. Ein solcher Übergang ist in der Figur 2.1a aufgezeichnet. Die beiden Zonen (p- und n-Seite) seien relativ stark dotiert, so dass die Konzentrationen der beweglichen Elektronen und Löcher durch die Donor-bzw. Akzeptorkonzentrationen bestimmt werden. Die freien Ladungsträger sind in der Figur 2.1 durch Kreise dargestellt, in denen die Polaritäten eingetragen sind. Die dick gezeichneten Plus- und Minuszeichen ohne Kreis bezeichnen die nichtbeweglichen ionisierten Donoren und Akzeptoren.

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Copyright information

© Springer Basel AG 1962

Authors and Affiliations

  • Walter Guggenbühl
    • 1
  • Max J. O. Strutt
    • 2
  • Willy Wunderlin
    • 2
  1. 1.Eidgenössischen Technischen Hochschule ZürichSchweiz
  2. 2.Instituts für Höhere ElektrotechnikEidgenössischen Technischen Hochschule ZürichSchweiz

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