Abstract
Various laser devices are produced as optical light sources in the optoelectronic field. Especially, semiconductor lasers1,2 are key devices of great importance due to their small size, high efficiency, and high speed for direct modulation.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
References
H. Kressel and J. K. Butler, Semiconductor Lasers and Heterojunction LEDs, Academic Press, New York (1977).
H. C. Casey, Jr., and M. B. Panish, Heterostructure Lasers, Academic Press, New York (1978).
I. Hayashi, M. B. Panish, P. W. Foy, and S. Sumski, Appl. Phys. Lett. 17, 109 (1970).
R. K. Willardson and A. C. Beer, Semiconductors and Semimetals, vol. 22, Part C, Chapter 1, Academic Press (1985).
M. Nakamura and S. Tsuji, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 994 (1981).
H. C. Casey, Jr., and F. Stern, J. Appl. Phys. 47, 631 (1976).
A. Y. Cho and J. R. Arthur, Prog. Solid State Chem. 10, 157 (1975).
H. M. Manasevit and W. I. Simpson, J. Electrochem. Soc. 120, 569 (1973).
R. E. Nahory, M. A. Pollak, W. D. Johnston, and R. L. Burns, Appl. Phys. Lett. 33, 659 (1978).
D. N. Payne and W. A. Gambling, Electron. Lett. 11, 176 (1975).
J. J. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 28, 283 (1976).
T. Mizutani, M. Yoshida, A. Usui, H. Watanabe, T. Yuasa, and I. Hayashi, Jpn. J. Appl. Phys. 19, L113 (1980).
M. Razeghi, B. Decremoux, and J. P. Duchemin, J. Cryst. Growth 68, 389 (1984).
I. Hayashi, M. B. Panish, and F. K. Reinhart, J. Appl. Phys. 42, 1929 (1971).
M. Ueno, I. Sakuma, T. Furuse, Y. Matsumoto, H. Kawano, Y. Ide, and S. Matsumoto, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 1930 (1981).
M. Ettenberg, C. J. Nuese, and H. Kressel, J. Appl. Phys. 50, 2949 (1979).
T. Uji, K. Iwamoto, and R. Lang, Appl. Phys. Lett. 38, 193 (1981).
D. D. Cook and F. R. Nash, J. Appl. Phys. 46, 1660 (1975).
T. L. Paoli, IEEE J. Quantum Electron. QE-12, 770 (1976).
K. Kobayashi, R. Lang, H. Yonezu, I. Sakuma, and I. Hayashi, Jpn. J. Appl. Phys. 16, 207 (1977).
R. Lang, IEEE J. Quantum Electron. QE-15, 718 (1979).
R. K. Willardson and A. C. Beer, Semiconductor and Semimetals, vol. 22, Part C, Chapter 2. Academic Press (1985).
T. Tsukada, J. Appl. Phys. 45, 4899 (1974).
I. Mito, M. Kitamura, K. Kobayashi, and K. Kobayashi, Electron. Lett. 18, 953 (1982).
Y. Ide, T. Furuse, I. Sakuma, and K. Nishida, Appl. Phys. Lett. 36, 121 (1980).
M. Ueno, R. Lang, S. Matsumoto, H. Kawano, T. Furuse, and I. Sakuma, IEE Proc. 129, 218 (1982).
K. Aiki, M. Nakamura, T. Kuroda, J. Umeda, R. Ito, N. Chinone, and M. Maeda, IEEE J. Quantum Electron. QE-14, 89 (1978).
T. Hayakawa, N. Miyauchi, S. Yamamoto, H. Hayashi, S. Yano, and T. Hijikata, J. Appl. Phys. 53, 7224 (1982).
H. Yanezu, I. Sakuma, K. Kobayashi, T. Kamejima, M. Ueno, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys. 12, 1585 (1973).
T. Kobayashi, H. Kawaguchi, and Y. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys. 16, 601 (1977).
M. Ueno, Jpn. J. Appl. Phys. 16, 1399 (1977).
P. Marshall, E. Schlosser, and C. Wölk, Electron. Lett. 15, 38 (1979).
H. Yonezu, I. Sakuma, T. Kamejima, M. Ueno, K. Nishida, Y. Nannichi, and I. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 24, 18 (1974).
P. M. Petroff and R. L. Hartmann, Appl. Phys. Lett. 23, 469 (1973).
B. W. Hakki and F. R. Nash, J. Appl. Phys. 45, 3907 (1974).
P. A. Kirkby and G. H. B. Thompson, Appl. Phys. Lett. 22, 638 (1973).
T. Yuasa, M. Ogawa, K. Endo, and H. Yonezu, Appl. Phys. Lett. 32, 119 (1978).
T. Yuasa, K. Endo, T. Torikai, and H. Yonezu, Appl. Phys. Lett. 34, 685 (1979).
M. Ettenberg and H. Kressel, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 186 (1980).
M. Fukuda, K. Takahei, G. Iwane, and T. Ikegami, Appl. Phys. Lett. 41, 18 (1982).
K. Mizuishi, IEEE J. Quantum Electron QE-19, 457 (1983).
R. K. Willardson and A. C. Beer, Semiconductors and Semimetals, vol. 22, Part B, Chapter 4, Academic Press (1985).
M. Yamaguchi, S. Takano, S. Fujita, I. Cha, and I. Mito, Optoelectronics 3, 257 (1988).
M. Kitamura, M. Yamaguchi, S. Murata, I. Mito, and K. Kobayashi, IEEE J. Lightwave Technol. T-2, 363 (1984).
A. Gomyo, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, and T. Suzuki, Electron. Lett. 23, 85 (1987).
K. Kobayashi, I. Hino, and T. Suzuki, Appl. Phys. Lett. 46, 7 (1985).
R. K. Willrdson and A. C. Beer, Semiconductors and Semimetals, vol. 22, Part C, Chapter 3, Academic Press (1985).
K. Shinohara, T. Akamatsu, and R. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys. 20, 439 (1981).
L. M. Dolginov, A. E. Drakin, L. V. Druzhinita, P. G. Eliseev, M. G. Milvidsky, V. A. Skripken, and B. N. Sverdlov, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 593 (1981).
N. Kobayashi and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys. 19, L641 (1980).
H. Kressel and I. Ladany, RCA Rev. 36, 230 (1975).
C. H. Henry, P. M. Petroff, R. A. Logan, and F. R. Merritt, J. Appl. Phys. 50, 3721 (1979).
M. Wada, K. Hamada, H. Shimizu, T. Sugino, F. Tajiri, K. Itoh, G. Kano, and I. Teramoto, Appl. Phys. Lett. 42, 853 (1983).
T. Shibutani, M. Kume, K. Hamada, H. Shimizu, K. Itoh, G. Kano, and I. Teramoto, IEEE J. Quantum Electron. QE-23, 760 (1987).
H. F. Lockwood, H. Kressel, H. S. Sommers, Jr., and F. Z. Hawrylc, Appl. Phys. Lett. 17, 499 (1970).
D. Botez, Appl. Phys. Lett. 36, 190 (1980).
H. Yonezu, I. Sakuma, T. Kamejima, M. Ueno, K. Iwamoto, I. Hino, and I. Hayashi, Appl. Phys. Lett. 34, 637 (1979).
M. Ueno, IEEE J. Quantum Electron. QE-17, 2113 (1981).
H. C. Casey, Jr., D. D. Sell, and K. W. Wecht, J. Appl. Phys. 46, 250 (1975).
P. D. Dapkus, N. Holonyak, Jr., J. A. Rossi, F. V. Williams, and D. A. High, J. Appl. Phys. 40, 3300 (1969).
K. Peterman and G. Arnold, IEEE J. Quantum Electron. QE-18, 543 (1982).
R. E. Epworth, Proc. 4th Europ. Conf. Opt. Commun. 492 (1978).
D. E. McCumber, Phys. Rev. 141, 306 (1966).
H. Haug, Phys. Rev. 184, 338 (1969).
N. Chinone, K. Takahashi, T. Kajimura, and M. Ojima, Proceedings of the 8th IEEE Semiconductor Laser Conference, Ottawa, Ontario, Canada, (Sept. 25, 1982).
M. Ojima, A. Arimoto, N. Chinone, T. Gotoh, and K. Aiki, Appl. Opt. 25, 1404 (1986).
J. A. Copeland, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 721 (1980).
R. Lang and K. Kobayashi, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 347 (1980).
J. P. van der Ziel, J. L. Merz, and T. L. Paoli, J. Appl. Phys. 50, 4620 (1979).
I. Komazaki, M. Uchida, M. Nido, S. Ishikawa, K. Endo, K. Hara, and T. Yuasa, Electron. Lett. 25, 294 (1989).
N. Holonyak, R. M. Kolbas, R. D. Dupuis, and P. D. Dapkus, IEEE J. Quantum Electron. QE-16, 170 (1980).
G. L. Harnagel, P. S. Cross, C. R. Lennon, M. Devito, and D. R. Scifres, Electron. Lett. 23, 743 (1987).
P. L. Derry, H. Z. Chen, H. Morkoc, A. Yariv, K. Y. Lau, N. Bar-Chaim, K. Lee, and J. Rosenberg, J. Vac. Sci. Technol. B6, 689 (1988).
M. Nido, K. Endo, S. Ishikawa, M. Uchida, I. Komazaki, K. Hara, and T. Yuasa, Electron. Lett. 25, 277 (1989).
A. Suzuki, K. Kasahara, and M. Shikada, IEEE J. Lightwave Technol. LT-5, 1479 (1987).
Y. Inomoto, T. Terakado, and A. Suzuki, Technical Digest of the First Optoelectronics Conference, A6-4, Tokyo (1986).
Author information
Authors and Affiliations
Editor information
Editors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 1990 Springer Science+Business Media New York
About this chapter
Cite this chapter
Ueno, M., Yuasa, T. (1990). Semiconductor Lasers. In: Matsuoka, M. (eds) Infrared Absorbing Dyes. Topics in Applied Chemistry. Springer, Boston, MA. https://doi.org/10.1007/978-1-4899-2046-1_9
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-1-4899-2046-1_9
Publisher Name: Springer, Boston, MA
Print ISBN: 978-1-4899-2048-5
Online ISBN: 978-1-4899-2046-1
eBook Packages: Springer Book Archive