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Vermessung von Diffusionszonen in Halbleiter-Bauelementen mit Hilfe des Jeol-Raster-Elektronenmikroskops

  • H. Raith
Conference paper
Part of the Mikrochimica Acta book series (MIKROCHIMICA, volume 3)

Zusammenfassung

Das Interesse an Diffusionsvorgängen in Festkörpern ist während der letzten Jahre — insbesondere durch die schnelle Entwicklung der Halbleitertechnik — stark gewachsen. Heute werden in der Elektronik vielfach die sogenannten integrierten Schaltkreise benutzt, deren Bauelemente — wie Dioden, Transistoren und Widerstände — praktisch nur noch aus einer Kombination geeigneter Diffusionsschichten bestehen. Der Fremdstoffgehalt der unterschiedlich dotierten Diffusionszonen ist jedoch dabei so gering, daß er meist noch unterhalb der Nachweisbarkeitsgrenze für Mikrosonden liegt. Wie gelingt es, den Verlauf, die Qualität und eventuell auch die Tiefe derartiger Diffusionszonen nach Möglichkeit zerstörungsfrei zu prüfen?

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Literatur

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Copyright information

© Springer-Verlag Wien 1968

Authors and Affiliations

  • H. Raith
    • 1
  1. 1.Kontron GesmbHMünchenDeutschland

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