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Dotiertechniken

  • Ulrich Hilleringmann
Chapter

Zusammenfassung

Ausgehend vom Legierungsverfahren folgen die Modellierung und praktische Durchführung von Diffusion und Ionenimplantation zur Dotierung von Halbleitern. Die Anlagen zur Dotierung werden vorgestellt und speziell bei der Ionenimplantation im Detail besprochen. Eine Analyse parasitärer Effekte auf die resultierende Dotierstoffverteilung rundet das Kapitel ab.

Literatur

  1. 1.
    von Münch, W.: Einführung in die Halbleitertechnologie. Teubner, Wiesbaden (1993)CrossRefGoogle Scholar
  2. 2.
    Schumicki, G., Seegebrecht, P.: Prozeßtechnologie, Reihe Mikroelektronik. Springer, Berlin (1991)Google Scholar
  3. 3.
    Ruge, I.: Halbleiter-Technologie, Reihe Halbleiter-Elektronik, Bd. 4. Springer, Berlin (1984)Google Scholar
  4. 4.
    Ziegler, J.F.: The Stopping and Range of Ions in Solids, Ion Implantation Technology. Academic Press, New York (1984)Google Scholar
  5. 5.
    Ziegler, J.F., Biersack, J.P., Littmark, U.: The stopping and range of ions in solids. In: The Stopping and Range of Ions in Matter, Bd. 1. Pergamon Press, New York (1985)Google Scholar
  6. 6.
    Schumacher, K.: Integrationsgerechter Entwurf analoger MOS-Schaltungen. Oldenbourg, München (1987)Google Scholar
  7. 7.
    Hecking, N., Heidemann, K.F., TeKaat, E.: Model of temperature dependent defect interaction and amorphization in crystalline silicon during ion irradiation. Nucl. Instrum. Methods Sect. B. 15, 760–764 (1986)CrossRefGoogle Scholar
  8. 8.
    Ryssel, H., Ruge, I.: Inonenimplantation. Teubner, Wiesbaden (1978)CrossRefGoogle Scholar
  9. 9.
    Carter, G., Grant, W.A.: Ionenimplantation in der Halbleitertechnik. Hanser, München (1981)Google Scholar

Copyright information

© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature 2019

Authors and Affiliations

  • Ulrich Hilleringmann
    • 1
  1. 1.Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und MathematikUniversität PaderbornPaderbornDeutschland

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