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Bipolar-Technologie

  • Ulrich Hilleringmann
Chapter

Zusammenfassung

Die Integration von Bipolar-Transistoren wird auf der Grundlage der Standard-Buried-Collector-Technik eingeführt und anschließend durch alternative Isolationsmethoden verbessert. Daran schließt sich die moderne Integrationstechnik mit selbstjustierendem Emitter an. Die Kombination von Bipolar- und MOS-Transistoren auf einem Substrat als BiCMOS-Prozess wird diskutiert.

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Copyright information

© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature 2019

Authors and Affiliations

  • Ulrich Hilleringmann
    • 1
  1. 1.Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und MathematikUniversität PaderbornPaderbornDeutschland

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