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Erweiterungen zur Höchstintegration

  • Ulrich Hilleringmann
Chapter

Zusammenfassung

Verschiedene lokale Oxidationstechniken werden hinsichtlich der erreichbaren Planarität analysiert. Anschließend folgen die Integration von Spacer- und LDD-Strukturen zur Reduktion von Kurzkanaleffekten. Die Schaltungsintegration in SOI-Technik einschließlich der Substratherstellung wird vorgestellt. Nanometer-Transistoren und FINFET-Strukturen runden das Kapitel ab.

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Copyright information

© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature 2019

Authors and Affiliations

  • Ulrich Hilleringmann
    • 1
  1. 1.Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und MathematikUniversität PaderbornPaderbornDeutschland

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