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MOS-Technologien zur Schaltungsintegration

  • Ulrich Hilleringmann
Chapter

Zusammenfassung

Ausgehend von den PMOS- und NMOS-Prozessen in Aluminium-Gate-Technik wird der selbstjustierende NMOS-Prozess mit Polysilizium-Gate dargestellt. Darauf aufbauend folgt eine detaillierte Erläuterung der CMOS-Prozessführung in n-Wannentechnologie einschließlich der erforderlichen Funktionstests nach der Transistorintegration.

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Copyright information

© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature 2019

Authors and Affiliations

  • Ulrich Hilleringmann
    • 1
  1. 1.Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und MathematikUniversität PaderbornPaderbornDeutschland

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