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Spezielle Schaltungen für den Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element

  • Horst Gad
Part of the Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen book series (FOLANW, volume 2866)

Zusammenfassung

Dem in Abschn. 4 dargestellten Grundprinzip für den Einsatz des Feldeffekttransistors als quadratisches Element sind Grenzten gesetzt. Sie bestehen darin, daß bei der Verwendung von Sperrschicht-Feldeffekttransistoren bei Kurzschlußbetrieb mindestens eine der- Gate-Dioden (Bild 6) in Flußrichtung betrieben wird, bzw.daß bei Beschaltung mit einem Widerstand (Bild 8; der Ausgangsstrom und dadurch auch die AusgangsSpannung nicht nur vom Quadrat der Eingangsspannung abhängig ist. Der Störterm in Gl.(67), der durch den Widerstand bewirkt wird, kann kompensiert werden, wenn wie bei der Linearisierung des Feldeffekttransistors als spannungsgesteuerter Widerstand /17, 19, 18, 28, 27/ verfahren wird. Durch eine zusätzliche Gate-Source-Spannung läßt sich der Aussteuerbereich erweitern und bei unterschiedlichen Schwellspannungen auch ein Verzerrungsabgleich erreichen. Wird die Schaltung nicht im Kurzschluß betrieben, ergeben sich besondere Probleme, die Gate-Source-Vorspannungen mit massebezogenen Quellen einstellen zu können.

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Copyright information

© Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen 1979

Authors and Affiliations

  • Horst Gad
    • 1
  1. 1.Labor für Elektronische Bauelemente und NetzwerkeFachhochschule LippeLemgoDeutschland

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