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Modelle zur Beschreibung der Strom-Spannungs-Kennlinien von Feldeffekttransistoren im Anlaufgebiet

  • Horst Gad
Chapter
Part of the Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen book series (FOLANW, volume 2866)

Zusammenfassung

Um wesentliche Zusammenhänge des Feldeffekttransistors als quadratisches Element darstellen zu können, genügt das mit Gl.(10) angegebene 2-Parameter-Modell sowohl für den Sperrschicht- als auch für den MOS-Feldeffekt-transistor. Die Parameter dieses Modells sind ß und Uth, wobei die verschiedenen Typen durch Vorzeichen -dieser Parameter berücksichtigt werden können. Bei verfeinerten Modellen sind vor allem der Beweglichkeitsund der Substrateinfluß /1, 14/ auf den Drainstrom und die Bulksteuerung zu berücksichtigen. Darüberhinaus ist aber auch der exponentielle Einfluß, der bei kleinen Drainströmen /15, 16/ auftritt, von Interesse.

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Copyright information

© Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen 1979

Authors and Affiliations

  • Horst Gad
    • 1
  1. 1.Labor für Elektronische Bauelemente und NetzwerkeFachhochschule LippeLemgoDeutschland

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