Advertisement

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Literatur

  1. /1/.
    Beneking, H.: Feldeffekttransistoren. Springer, Berlin 1973.CrossRefGoogle Scholar
  2. /2/.
    Cobbold, R.S.C.: Theory and applications of field-effect transistors. Wiley, New York 1970.Google Scholar
  3. /3/.
    Gad, H.: Feldeffektelektronik. Teubner, Stuttgart 1976.Google Scholar
  4. /4/.
    Blankenburg, K.H., Schermer, J.: Das neue UVM-ein breitrandiges Mikrovoltmeter mit Effektiv-wertgleichrichtung. Neues von Rohde & Schwarz., 45 (1970), 11–14.Google Scholar
  5. /5/.
    Blankenburg, K.H.: Messung des Effektivwertes von Wechselspannungen im Tonfrequenz— und Videobereich. Neues von Rohde & Schwarz 72 (1976), 23–25.Google Scholar
  6. /6/.
    Blankenburg, K.H.: Zweipolelement mit quadratischer Strom-Spannungskennlinie. Deutsche Auslegeschrift PS 1801705, April 1971.Google Scholar
  7. /7/.
    Blankenburg, K.H.: Zweipolelement mit quadratischer Strom-Spannungskennlinie. Deutsche Offenlegungsschrift P 2300416, Juli 1974.Google Scholar
  8. /8/.
    Hart, B.L.: Square-root circuit — Using dual silicon-gate m.o.s.f.e.t. to give 1% accuracy. Wireless World (1971), 371.Google Scholar
  9. /9/.
    Blankenburg, K.H.: Eine neue Quadrierschaltung mit großem Aussteuerbereich. Weiterbildungsprogramm der Firma Rohde & Schwarz, München 1973.Google Scholar
  10. /10/.
    Gad, H.: Methode zur Bestimmung der Parameter ß und Uth von Feldeffekttransistoren. Frequenz 32 (1978), 9, 261–264.CrossRefGoogle Scholar
  11. /11/.
    Blankenburg, K.H.: Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor als quadratisches Zweipolelement. Schrift der Firma Rohde & Schwarz, München 1972.Google Scholar
  12. /12/.
    Blankenburg, K.H.: Gegentakt-Quadrierschal-tung und damit aufgebaute Brücken-Quadrier-schaltung bzw. Effektivwert-Gleichrichter-schaltung. Zusatz zu Patent P 1801705.Google Scholar
  13. /13/.
    Gad, H.: Classification of the I-V characteristics of FETs by a 2-parameter model. AEÜ 30 (1976), 374–376.Google Scholar
  14. /14/.
    Paul, R.: Feldeffekttransistoren. Berliner Union Kohlhammer, Stuttgart (1972).Google Scholar
  15. /15/.
    Barker, R.W.J.: Small-signal subthreshold model for I.G.F.E.T.s. Electronics Letters 12 (1976), 260–262.CrossRefGoogle Scholar
  16. /16/.
    Gad, H.: Simulation von Feldeffekttransistoren bei kleinen Drainströmen. Forschungsbericht Nr. 2705, Westdeutscher Verlag 1978.CrossRefGoogle Scholar
  17. /17/.
    Abu-Zeid, M.M., Groendijk, H.: Field-effect transistor-bridge multiplier-divider. Electronics Letters 24 (1972) 591–592.CrossRefGoogle Scholar
  18. /18/.
    Gad, H.: Der Feldeffekttransistor als spannungsgesteuerter Widerstand — Definitionen, Kennlinien und Anwendungsbeispiele-. Teil 1. elektronik industrie 9 (1978) 12, 11–13.Google Scholar
  19. /19/.
    Von Ow, H.: Der Feldeffekttransistor als steuerbarer Widerstand und seine Anwendung in regelbaren Verstärkern und Dämpfungsgliedern. Dissertation. ETH Zürich Nr.4513 (1970).Google Scholar
  20. /20/.
    Sah, C.T.: Characteristics of the metal-oxide semiconductor transistor. Trans.IEEE-ED 11 (1964), 324–345.CrossRefGoogle Scholar
  21. /21/.
    Baum, G.: Ein Beitrag zum statischen und dynamischen Verhalten von MOS-Feldeffekt-transistoren. Dissertation. Halbleitertechnik, RWTH Aachen (1969).Google Scholar
  22. /22/.
    Shockley, W.: A unipolar field-effect transistor. Proc. IRE 40 (1952), 1365–1376.CrossRefGoogle Scholar
  23. /23/.
    Jahnke, J.: Höchstfrequenzeigenschaften von MeSFETs — Theorie und Experiment -. Dissertation, TH Aachen (1972).Google Scholar
  24. /24/.
    Bergmann, G.: Die Dynamik des Sperrschichtfeldeffekttransistors. Dissertation. Universität Stuttgart (1974).Google Scholar
  25. /25/.
    Gad, H.: Zum Temperaturverhalten von Feldeffekttransistoren. Frequenz 27 (1973), 292–295.CrossRefGoogle Scholar
  26. /26/.
    Gad, H.: Netzwerkanalyse — Ersatzschaltbild,-parameter zur Halbleitersimulation in Netzwerkanalyse programmen -. NTZ-Kurier 27, NTG 3003 Entwurf (1974).Google Scholar
  27. /27/.
    Gad, H.: VOR mit CMOS-Baustein 4007 — Spannungsgesteuertes Widerstand-Ersatzschaltbild und Kennlinie -. elektronik industrie 9 (1978) 11, 14.Google Scholar
  28. /28/.
    Gad, H.: Der Feldeffekttransistor als spannungsgesteuerter Widerstand — Definitionen, Kennlinien und Anwendungsbeispiel -, Teil 2. elektronik industrie 10 (1979) 1/2, 24–25.MathSciNetGoogle Scholar
  29. /29/.
    Gad, H.: Meßschaltung zur Bestimmung der Stabilität der Kniespannung von MISFETs. Archiv für technisches Messen Lfg. 470 (1975) 3, 53–54.Google Scholar

Copyright information

© Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen 1979

Authors and Affiliations

  • Horst Gad
    • 1
  1. 1.Labor für Elektronische Bauelemente und NetzwerkeFachhochschule LippeLemgoDeutschland

Personalised recommendations