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Part of the book series: Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen ((FOLANW,volume 2866))

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Zusammenfassung

Bei allen Feldeffekttransistor⇔Typen tritt gleichermaßen eine Vielzahl von Möglichkeiten auf, Parabeläste der Strom-Spannungs-Kennlinie darzustellen, mit deren Hilfe der Feldeffekttransistor als quadratisches Element eingesetzt werden kann. In Bild 1 sind im ID-UDS-Kennlinien-feld eines selbstleitenden n-Kanal-MOSFET Möglichkeiten aufgezeigt, Parabeläste zu erhalten. Damit die Bulk-Source-Diode des MOSFET bei Inversbetrieb (UDS < 0) nicht in Flußrichtung betrieben werden kann, sei angenommen, daß das Bulk genügend stark negativ vorgespannt ist.

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© 1979 Westdeutscher Verlag GmbH, Opladen

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Gad, H. (1979). Parabeläste des Feldeffekttransistors. In: Ein Beitrag zum Einsatz von Feldeffekttransistoren als quadratische Elemente. Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen, vol 2866. VS Verlag für Sozialwissenschaften, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-322-88459-6_2

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-322-88459-6_2

  • Publisher Name: VS Verlag für Sozialwissenschaften, Wiesbaden

  • Print ISBN: 978-3-531-02866-8

  • Online ISBN: 978-3-322-88459-6

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