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ATZelektronik

, Volume 13, Issue 2, pp 52–55 | Cite as

Siliziumkarbid-Halbleiter für den E-Antriebsstrang

  • Torsten Bürger
  • Katharina Berberich
  • Stephan Prüfling
Entwicklung Leistungselektronik
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Für die Elektrifizierung des Antriebsstrangs sind neue Wege zu beschreiten. Leistungshalbleiter, aus Siliziumkarbid hergestellt, können eine interessante Lösung für Frequenzumrichter und Gleichrichter sein. AVL erklärt die technischen Vorteile — schnellere Schaltfrequenzen sowie verringertes Gewicht und Volumen — dieses Halbleiterwerkstoffs gegenüber konventionellen, siliziumbasierten IGBT-Leistungshalbleitern.

Technische Vorteile

In den vergangenen Jahren ist das Interesse an Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) im Rahmen der Elektrifizierung des Antriebsstrangs signifikant gestiegen. Die offensichtlichen, technischen Vorteile dieses Wide-Band-Gap-Halbleitermaterials verheißen erhebliche Performance-Verbesserungen in allen wesentlichen Betriebsparametern, Bild 1. Neueste SiC-Halbleiter mit Sperrspannungen bis 1,2 kV bieten gegenüber konventionellen, siliziumbasierten (Si) Leistungshalbleitern um einige Faktoren höhere Schaltfrequenzen. Auch punkten sie in...

Copyright information

© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature 2018

Authors and Affiliations

  • Torsten Bürger
    • 1
  • Katharina Berberich
    • 1
  • Stephan Prüfling
    • 1
  1. 1.AVLRegensburgDeutschland

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