Summary.
Epitaxial growth of thin CaSi2 films on various silicon surfaces is described. Transforming the silicide into siloxene leads to high quality epitaxial siloxene films with different orientations. The structural quality of CaSi2 and siloxene is investigated by transmission and scanning electron microscopy as well as X-ray diffraction analysis. Siloxene on (110)-Si enables direct observation of the anisotropic vibrational properties by IR transmission measurements. A diode structure was realized with siloxene by using contacts with different work functions as charge carrier injectors.
Zusammenfassung.
Das epitaktische Wachstum dünner CaSi2-Filme auf verschiedenen Siliziumoberflächen wird beschrieben. Die Umwandlung des Silizids in Siloxen ergibt unterschiedlich orientierte epitaktische Siloxenfilme von hoher Schichtqualität. Die strukturelle Qualität von CaSi2 und Siloxen wurde mit Hilfe von Transmissionselektronen- und Rastertunnelmikroskopie sowie Röntgendiffraktion untersucht. Siloxen auf (110)-Si ermöglicht einen direkten Nachweis der anisotropen Schwingungseigenschaften mittels IR-Transmissionsmessungen. Mit Siloxen und Kontakten mit unterschiedlicher Austrittsarbeit zur Ladungsträgerinjektion wurde eine Diodenstruktur hergestellt.
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Received June 12, 1998. Accepted (revised) July 24, 1998
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Vogg, G., Zamanzadeh-Hanebuth, N., Brandt, M. et al. Preparation and Characterization of Epitaxial CaSi2 and Siloxene Layers on Silicon. Monatshefte fuer Chemie 130, 79–87 (1999). https://doi.org/10.1007/PL00010177
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DOI: https://doi.org/10.1007/PL00010177