Acta Physica Academiae Scientiarum Hungaricae

, Volume 33, Issue 3–4, pp 399–410 | Cite as

Condensation and epitaxial growth of evaporated thin films on NaCl covered by an amorphous dielectric intermediate layer

  • A. Barna
  • P. B. Barna
  • J. F. Pócza
  • I. Pozsgai


Experiments have been carried out to study the condensation and epitaxy of indicater films (e.g. Au, ZnS, PbS) on the surface of NaCl, covered by amorphous, intermediate layers (e.g. C, SiOx). The results have confirmed that the properties of NaCl single-crystal inducing epitaxial growth of thin films can be transferred by an intermediate, amorphous dielectric layer onto the indicator film. This can be explained by the growth of the intermediate layer behaving as electret in the potential field of the substrate crystal. The condensation of the indicator film is affected by the degree to which the intermediate layer is polarized by the substrate crystal.


Intermediate Layer Epitaxial Growth Carbon Layer Critical Thickness Ionic Crystal 
These keywords were added by machine and not by the authors. This process is experimental and the keywords may be updated as the learning algorithm improves.

конденсация и эпитаксиальный рост тонких пленок, напыленных на NaCl, покрытый промежуточным слоем аморфного дизлектрика


Эксперименты были проведены для изучения конденсации и эпитаксии индикаторных пленок (например Au, ZnS PbS) на поверхности NaCl, покрытого аморфными, промежуточными слоями (например C, SiO2). Результаты подтверждали, что свойства индуцирования эпитаксиального роста тонких пленок на монокристалле NaCl можно перенести на индикаторную пленку с помощью промежуточного слоя аморфного дизлектрика.

Такое явление можно обьяснить ростом промежуточного слоя, являющегося электретом в потенциальном поле кристалла подложки. Конденсация индикаторной пленки зависит от степени поляризации промежуточного слоя, вызванной субстратнымкристаллом.


Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.


  1. 1.
    G. I. Distler, S. A. Kobzareva andY. M. Gerasimov, J. Crystal Growth,2, 43, 1968.Google Scholar
  2. 2.
    M. S. Khidr, P. Ignácz andJ. F. Pócza, in E. Hahn (ed.): Proc. Second Coll. on Thin Films (Akadémiai Kiadó, Budapest, 1968, p. 45.)Google Scholar
  3. 3.
    G. I. Distler andA. S. Kobzareva, Naturwissen.,56, 325, 1969.CrossRefADSGoogle Scholar
  4. 4.
    G. I. Distler, in E. Hahn (ed.): Proc. Second Coll. on Thin Films (Akadémiai Kiadó, Budapest, 1968) pp. 38, 81.Google Scholar
  5. 5.
    A. Barna, P. B. Barna andJ. F. Pócza, Thin. Solid Films,4, R32, 1969.CrossRefADSGoogle Scholar
  6. 6.
    M. Harsdorff, R. W. Adam andH. H. Schmeisser. Kristall. und Technik,5, 279, 1970.CrossRefGoogle Scholar
  7. 7.
    K. L. Chopra, J. Appl. Phys.,40, 906, 1969.CrossRefADSGoogle Scholar
  8. 8.
    I. Dümler andP. Kittl, J. Mat. Sci.,4, 89, 1969.CrossRefADSGoogle Scholar
  9. 9.
    P. Vermouth andW. Dekeyser, Physica,25, 53, 1959.CrossRefADSGoogle Scholar
  10. 10.
    I. Mietz, Naturwissen.,52, 537, 1965.Google Scholar
  11. 11.
    H. Bethge, J. Vac. Sci. Technol.,6, 460, 1969.CrossRefADSGoogle Scholar
  12. 12.
    G. I. Distler andV. G. Obronov, Nature,224, 261, 1969.CrossRefADSGoogle Scholar
  13. 13.
    M. Krohn andA. Barna, in E. Hahn (ed.) Proc. Second Coll. on Thin Films, (Akadémiai Kiadó, Budapest, 1968.) p. 45.Google Scholar
  14. 14.
    D. E. Bradley, J. Appl. Phys.,5, 65, 1954.Google Scholar
  15. 15.
    K. Hayek andU. Schwabe, Surface Science,19, 329, 1970.CrossRefADSGoogle Scholar
  16. 16.
    B. H. Unvala, Nature,194, 4832, 1962.CrossRefGoogle Scholar
  17. 17.
    R. N. Rhodin, P. W. Palmberg andC. J. Todd, in E. Dranglis and R. Gretz: Molecular Processes on Solid Surfaces (McGraw-Hill, N. Y. 1968).Google Scholar
  18. 18.
    C. A. O. Henning, Nature,227, 1129, 1970.CrossRefADSGoogle Scholar
  19. 19.
    I. Dümler andM. R. Marrapodi, Thin Solid Films,12, 279, 1972.CrossRefGoogle Scholar

Copyright information

© with the authors 1973

Authors and Affiliations

  • A. Barna
    • 1
  • P. B. Barna
    • 1
  • J. F. Pócza
    • 1
  • I. Pozsgai
    • 1
  1. 1.Research Institute for Technical Physics of the Hungarian Academy of sciencesBudapest

Personalised recommendations