Advertisement

Annales des Télécommunications

, Volume 35, Issue 5–6, pp 193–198 | Cite as

Détermination du facteur de multiplication M pour un fonctionnement optimal des photodétecteurs à avalanche

  • Robert Alabedra
  • Claude Maille
  • Tariq Said
  • Gilles Lecoy
Article
  • 45 Downloads

Determination of multiplication factor M for optimum behaviour of avalanche photodetector

Analyse

Cet article traite de la détermination du facteur de multiplication Mpour un fonctionnement optimal des photodétecteurs à avalanche compte tenu du bruit du montage électronique. On compare deux types de photodétecteur à avalanche: une structure au silicium n+ πpπp+et une hétérostructure du typs GaAlAs. Dans le calcul de la Puissance Equivalente de Bruit (peb)du montage, on utilise la relation Si(f) =2 IphoMxdans laquelle le paramètre x est déterminé expérimentalement. L’exposant x compris entre 2 et 4 est déterminant dans l’expression dupebdont la valeur idéale pour un systéms de photodétecteur à avalanche est obtenue quand x est égal à 2.

Abstract

The purpose of this paper is relative to the determination of the multiplication factor Mfor an optimum behaviour of the avalanche photodetector. Two types of avalanche photodetector s are compared: a silicon structuren+ πpπp+Read diode and a GaAlAs heterostructure. Calculating the Noise Equivalent Power (nep)of the whole system, the law Si(f) =2q IphoMxis used, where the parameter x is determined experimentally in both avalanche photodetectors. The exponent x (between 2 and 4) dominates in thenepexpression and the idealnepfor the avalanche photodetector system is obtained when x equals 2.

Mots clés

Photodiode Diode avalanche Facteur multiplication Détection optimale Diode Read Diode hétérojonction Bruit fond Détecteur semiconducteur 

Key words

Photodetector Avalanche photodiode Multiplication factor Optimal detection Read diode Heterojonction diode Semiconductor detector noise 

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Références

  1. [1]
    Lecrosnier (D.)et al., Ripoche (G.)et al. Techn. Dig. Int. Electron. Devices Mee, pp. 595–597, Washington (1975).Google Scholar
  2. [2]
    Kambe (H.)et al. IEEE Trans. ED, ED-23,12, pp. 1337 (1976).CrossRefGoogle Scholar
  3. [3]
    Carballes (J. C.)et al.Eros: An optoelectronic device for bidirectional links.Proceedings of the 4 th European Confeference on Optical Communication, (sep. 12–15), Genova, Italy, 1978.Google Scholar
  4. [4]
    Intyre Mc (R. J.). Multiplication noise in uniform avalanche diodes.IEEE Trans. ED USA (1966),13, n∘ 1, pp. 164–168.Google Scholar
  5. [5]
    Ratsira (D.). Caractérisation électrique de photodiodes à avalanche au silicium de type n+ πpπp+, pp. 60–62,Thèse de 3e cycle, Montpellier (1978).Google Scholar
  6. [6]
    Sze (S. M.). Physics of semiconductor devices,Wiley New-York (1969), pp. 653–654.Google Scholar
  7. [7]
    Said (T.). Etude et réalisation d’une chaîne de mesure de bruit sur la gamme de 1 MHz – 100 MHz: Application aux photodiodes à avalanche N+ πpπp+, pp. 71–81,Thèse de Docteur Ingénieur, Montpellier (1979).Google Scholar

Copyright information

© Institut Telecom / Springer-Verlag France 1980

Authors and Affiliations

  • Robert Alabedra
    • 1
  • Claude Maille
    • 1
  • Tariq Said
    • 1
  • Gilles Lecoy
    • 1
  1. 1.Centre d’Etudes d’Electronique des Solides, associé au CNRSUniversité des Sciences et Techniques du LanguedocMontpellier Cedex

Personalised recommendations