Analyse
Cet article traite de la détermination du facteur de multiplication Mpour un fonctionnement optimal des photodétecteurs à avalanche compte tenu du bruit du montage électronique. On compare deux types de photodétecteur à avalanche: une structure au silicium n+ πpπp+et une hétérostructure du typs GaAlAs. Dans le calcul de la Puissance Equivalente de Bruit (peb)du montage, on utilise la relation Si(f) =2 IphoMxdans laquelle le paramètre x est déterminé expérimentalement. L’exposant x compris entre 2 et 4 est déterminant dans l’expression dupebdont la valeur idéale pour un systéms de photodétecteur à avalanche est obtenue quand x est égal à 2.
Abstract
The purpose of this paper is relative to the determination of the multiplication factor Mfor an optimum behaviour of the avalanche photodetector. Two types of avalanche photodetector s are compared: a silicon structuren+ πpπp+Read diode and a GaAlAs heterostructure. Calculating the Noise Equivalent Power (nep)of the whole system, the law Si(f) =2q IphoMxis used, where the parameter x is determined experimentally in both avalanche photodetectors. The exponent x (between 2 and 4) dominates in thenepexpression and the idealnepfor the avalanche photodetector system is obtained when x equals 2.
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Références
Lecrosnier (D.)et al., Ripoche (G.)et al. Techn. Dig. Int. Electron. Devices Mee, pp. 595–597, Washington (1975).
Kambe (H.)et al. IEEE Trans. ED, ED-23,12, pp. 1337 (1976).
Carballes (J. C.)et al.Eros: An optoelectronic device for bidirectional links.Proceedings of the 4 th European Confeference on Optical Communication, (sep. 12–15), Genova, Italy, 1978.
Intyre Mc (R. J.). Multiplication noise in uniform avalanche diodes.IEEE Trans. ED USA (1966),13, n∘ 1, pp. 164–168.
Ratsira (D.). Caractérisation électrique de photodiodes à avalanche au silicium de type n+ πpπp+, pp. 60–62,Thèse de 3e cycle, Montpellier (1978).
Sze (S. M.). Physics of semiconductor devices,Wiley New-York (1969), pp. 653–654.
Said (T.). Etude et réalisation d’une chaîne de mesure de bruit sur la gamme de 1 MHz – 100 MHz: Application aux photodiodes à avalanche N+ πpπp+, pp. 71–81,Thèse de Docteur Ingénieur, Montpellier (1979).
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Alabedra, R., Maille, C., Said, T. et al. Détermination du facteur de multiplication M pour un fonctionnement optimal des photodétecteurs à avalanche. Ann. Telecommun. 35, 193–198 (1980). https://doi.org/10.1007/BF03000467
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF03000467
Mots clés
- Photodiode
- Diode avalanche
- Facteur multiplication
- Détection optimale
- Diode Read
- Diode hétérojonction
- Bruit fond
- Détecteur semiconducteur