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Annales des Télécommunications

, Volume 41, Issue 9–10, pp 511–518 | Cite as

Simulation des régimes transitoires sur des sections de lignes microruban par une technique de filtrage numérique

  • Noël Moisan
  • Jean-Marie Floc’h
  • Jacques Citerne
Article
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Simulation of the transient behaviour of microstrip line sections using a digital filtering technique

Analyse

Cet article porte sur le développement d’un modèle de simulation des régimes transitoires siégeant sur les lignes d’interconnexion en microruban dans et entre les circuits intégrés numériques (alu, ram…) très rapides et à faible échelle d’intégration tels que ceux réalisés actuellement sur GaAs. On montre que la transformation en z, qui définit un domaine intermédiaire entre la fréquence et le temps, fournit une méthode de simulation très générale de ces régimes transitoires sur une ligne dont les paramètres (déphasage linéique, impédance caractéristique), du fait essentiellement des pertes en ligne, dépendent explicitement de la fréquence. La validité de ce modèle est établie à l’aide de mesures effectuées sur des lignes microruban gravées sur alumine et sur GaAs.

Abstract

This paper deals with a method for analysis of pulse transmission and reflection on microstrips sections that can be used as interconnection lines in or between high-speed digital integral circuits. It is shown that z-transform, which defines an intermediate domain between time and frequency, leads to a very general simulation method of the transient properties of the line sections. The line characteristics can be frequency dependent because of the propagation losses. The validity of the model is established from direct measurements on microstrip sections etched on alumina and GaAs substrates.

Mots clés

Ligne microruban Régime transitoire Simulation numérique Filtrage numérique Ligne transmission Transformationz Modèle simulation Gallium arséniure Impédance caractéristique Paramètre linéique 

Key words

Microstrip line Transient state Digital simulation Digital filtering Transmission line z transformation Simulation model Gallium arsenide Characteristic impedance Linear parameter 

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Copyright information

© Institut Telecom / Springer-Verlag France 1986

Authors and Affiliations

  • Noël Moisan
    • 1
  • Jean-Marie Floc’h
    • 1
  • Jacques Citerne
    • 1
  1. 1.Laboratoire Structures RayonnantesUA au CNRS n∘ 834, INSARennes Cedex

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