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Annales des Télécommunications

, Volume 38, Issue 1–2, pp 62–72 | Cite as

Détecteurs HgCdTe pour télécommunication par fibres optiques

  • M. Royer
  • T. Brossat
  • P. Fragnon
  • J. Meslage
  • G. Pichard
  • T. N’guyen Duy
Communications Optiques
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HgCdTe detectors for fibre optic telecommunications

Analyse

Cet article traite des études et réalisations de détecteurs HgCdTe pour télécommunications par fibres optiques, fonctionnant à 1,3 μm et à 1,55 μm en modePinou avalanche. On décrit les propriétés générales et spécifiques de Valliage HgCdTe dans la gamme de composition utile, les méthodes de préparation et de caractérisation du matériau puis les technologies utilisées. Ensuite sont décrites les performances des différents types de diodes, les tests de fiabilité, les applications et perspectives.

Abstract

This paper deal with the studies and manufacture of HgCdTe detectors for fibre optics telecommunications, operating at 1,3 μm and 1,55 μm either with thePinstructure or with the avalanche mode. Electronic properties of the HgCdTe alloy with the appropriate composition range value, crystal growth methods, means of characterization of the materiel and process technology are described. Performances of the different types of diodes are reported, together with reliability tests, applications and prospects.

Mots clés

Photodétecteur Télécommunication optique Cadmium mercure tellurure mixte Infrarouge Semiconducteur Composé ternaire Photodiode Diode couche intrinsèque Diode avalanche Fabrication Caractérisation 

Key words

Photodetector Optical communication Cadmium mercury telluride Infrared Semiconductor Ternary compound Photodiode Pin diode Avalanche diode Process technology Caracterization 

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Copyright information

© Institut Telecom / Springer-Verlag France 1983

Authors and Affiliations

  • M. Royer
    • 1
  • T. Brossat
    • 1
  • P. Fragnon
    • 1
  • J. Meslage
    • 1
  • G. Pichard
    • 1
  • T. N’guyen Duy
    • 1
  1. 1.Société anonyme des télécommunicationsParis

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