Skip to main content
Log in

Solution with third-order accuracy for the electron distribution function in weakly ionized gases and intrinsic semiconductors

Решение в приближении третьего порядка для функции распределения электронов в слабо нонизованных газах и собственных полупроводниках

  • Published:
Il Nuovo Cimento B (1971-1996)

Summary

An explicit solution for the isotropic componentf 0(v) of the electron distribution functionf(v, μ) in a weakly ionized gas (or an intrinsic semiconductor) in steady-state and uniform conditions and for dominant elastic collisions is given to withinO(ε 4)=O(m 2/M 2), wherem andM are the masses of the electron and of the molecule, respectively. Since in the preceding, companion paper the componentsf 1(v),f 2(v) andf 3(v) of the expansion off(v, μ) in Legendre polynomials have been shown to be of the orderε 1 ε 2 ε 3, respectively, and have been expressed as functions off 0(v), the distribution functionf(v, μ) is explicitly known with third-order accuracy. This is beyond the best preceding expression, that by Chapman and Cowling, which has first-order accuracy only.

Riassunto

In questo articolo si dà esplicitamente una soluzione per la componente isotropaf 0(v) della funzione di distribuzione degli elettronif(v, μ) in un gas debolmente ionizzato (o in un semiconduttore intrinseco) in condizioni stazionarie ed uniformi e per collisioni elastiche dominanti, a meno di termini del tipoO(ε 4)=O(m 2/M 2), dovem eM sono rispettivamente le masse degli elettroni e delle molecole. Poiché nel precedente articolo si è dimostrato che le componentif 1(v),f 2(v) ef 3(v) dello sviluppo dif(v, μ) in polinomi di Legendre sono rispettivamente dell'ordine diε 1,ε 2,ε 3 e poiché si è potuto esprimerle in funzione dif 0(v), la funzione di distribuzionef(v, μ) è esplicitamente conosciuta con accuratezza del terz'ordine.

Резюме

Приводится точное решение для изотропной компонентыf 0(v) функции распределения электроновf(v, м) в слабо ионизованном газе (или в собственном полупроводнике) в стационарном состоянии и при постоянных условиях и для доминирующих упругих соударений с точностью доO(ε 4)=O(m 2/M 2), гдеm иM есть массы электрона и молекуль. Так как в предшествующих статьях этой серии показывается, что компонентыf 1(v),f 2(v) иf 3(v) разложенияf(v, μ) по полиномам Лежандра имеют соответственно порядокε 1,ε 2,ε 3 и выражаются в виде функцийf 0(v), то функция распределенияf(v, μ) оказывается определенной в явном виде с точностью до третьего порядка. Такой подход дает наилучшее выражение по сравнению с выражением Чепмена и Каулинга, которое определено только с точностью до членов первого порядка.

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this article

Price excludes VAT (USA)
Tax calculation will be finalised during checkout.

Instant access to the full article PDF.

Similar content being viewed by others

References

  1. L. Boltzmann:Sitzungber. Akad. Wiss. Wien, p. II,66, 275 (1872).

    Google Scholar 

  2. F. B. Pidduck:Proc. London Math. Soc.,15, 89 (1916);Quart. J. Math.,7, 199 (1936). See alsoL. G. Huxley andR. W. Crompton:The Diffusion and Drift of Electrons in Gases, sect.1, 11 (New York, N. Y., 1974), p. 23.

    MathSciNet  Google Scholar 

  3. M. J. Druyvesteyn:Physica (The Hague),10, 69 (1930).

    Google Scholar 

  4. B. Davydov:Phys. Z. Sowjetunion,8, 59 (1935).

    MATH  Google Scholar 

  5. B. M. Morse, W. P. Allis andE. S. Lamar:Phys. Rev.,48, 412 (1935).

    Article  ADS  MATH  Google Scholar 

  6. S. Chapman andT. G. Cowling:The Mathematical Theory of Nonuniform Gases, 2nd edition (Cambridge, 1952), p. 350.

  7. For the same form of the second side of (1) seeG. H. Wannier:Am. J. Phys.,39, 281 (1971)

    Article  ADS  Google Scholar 

  8. R. Bonalumi andG. Cavalleri:Nuovo Cimento B,55, 318 (1980).

    Article  MathSciNet  ADS  Google Scholar 

  9. T. Holstein:Phys. Rev.,70, 367 (1946).

    Article  ADS  Google Scholar 

  10. H. Margenau:Phys. Rev.,69, 508 (1946).

    Article  ADS  MATH  Google Scholar 

  11. G. L. Braglia andL. Ferrari:Physica (The Hague),67, 249, 274 (1973).

    Article  MathSciNet  ADS  MATH  Google Scholar 

  12. G. Cavalleri:Nuovo Cimento B,55, 340 (1980).

    ADS  Google Scholar 

  13. G. Cavalleri, E. Gatti andF. Gonzalez-Gascon:Nuovo Cimento B,55, 291 (1980).

    Article  MathSciNet  ADS  Google Scholar 

  14. See, with regard to the measurements of some transport quantities, all the work of the Ion Diffusion Unit of the Canberra University, summarized in the recent excellent book byL. G. H. Huxley andR. W. Crompton:The Diffusion and Drift of Electrons in Gases (New York, N. Y., 1974).

  15. L. B. Loeb:Basic Processes of Gaseous Electronics, Chapt. IV, sect.4 (Berkeley, Cal., 1955).

  16. W. P. Allis: inHandbuch der Physik, edited byS. Flügge, Vol.21, Chapt. III, sect.28 (Berlin, 1956), p. 383.

Download references

Author information

Authors and Affiliations

Authors

Additional information

Work supported by ENEL.

Переведено редакцией.

Rights and permissions

Reprints and permissions

About this article

Cite this article

Cavalleri, G., Bonalumi, R. Solution with third-order accuracy for the electron distribution function in weakly ionized gases and intrinsic semiconductors. Nuov Cim B 55, 375–384 (1980). https://doi.org/10.1007/BF02739167

Download citation

  • Received:

  • Published:

  • Issue Date:

  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF02739167

Navigation