Advertisement

Il Nuovo Cimento B (1971-1996)

, Volume 27, Issue 2, pp 229–239 | Cite as

Carrier injection in semiconductors: Pre-break-down electrical conduction theory

  • F. Cerrina
  • G. Margaritondo
  • P. Migliorato
  • P. Perfetti
  • E. Salusti
Article

Summary

We discuss a theoretical model for pre-break-down electrical conduction related to carrier injection in semiconductors containing deep traps. A «pseudosubquadratic»J-V relationship is obtained by neglecting the contributions from the diffusion terms, in good agreement with the experimental results. A numerical approach is proposed to obtain theJ-V characteristics when the diffusion currents cannot be neglected.

Инжекция носителей в полупроводники. Теория преднарушения электрической проводимости

Резюме

Мы обсуждаем теоретическую модель преднарушения электрической проводимости, связанного с инжекцией носителей в полупроводники, содержащие глубокие ловушки. Получается «псевдо-субквадратичная»J-V связь, если пренебречь вкладами от диффузионных членов. ПолученноеJ-V соотношение находится в хорошем согласии с экспериментальными результатами. Предлагается численный метод для полученияJ-V характеристик в том случае, когда нельзя пренебречь диффузионными токами.

Riassunto

Si discute un modello teorico per la conduzione elettrica prima del break-down in un semiconduttore contenente trappole profonde, in presenza d’iniezione di portatori. Trascurando il contributo dei termini di diffusione si ottiene una relazione teoricaJ-V il cui andamento è simile a quello di una funzione subquadratica, in ottimo accordo con i dati sperimentali. Infine si propone un metodo numerico per ottenere le caratteristicheJ-V quando le correnti di diffusione non possono essere trascurate.

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

References

  1. (1).
    M. A. Lampert andP. Mark:Current Injection in Solids (New York, N. Y., 1970), and references therein.Google Scholar
  2. (2).
    P. Migliorato, P. Perfetti, G. Margaritondo andA. Frova:Sol. State Comm.,13, 853 (1973).ADSCrossRefGoogle Scholar
  3. (3).
    P. Migliorato, G. Margaritondo andP. Perfetti:Sol. State Comm.,13, 499 (1973).ADSCrossRefGoogle Scholar
  4. (4).
    A. S. Epstein:Trans. Metall. Soc. AIME,239, 370 (1970);K. Maeda:Japan Journ. Appl. Phys.,9, 71 (1970).Google Scholar
  5. (5).
    R. N. Bhargava:Appl. Phys. Lett.,14, 193 (1969).ADSCrossRefGoogle Scholar
  6. (6).
    K. L. Ashley andA. G. Milnes:Journ. Appl. Phys.,35, 369 (1964).ADSCrossRefGoogle Scholar
  7. (7).
    G. Margaritondo, F. Cerrina, P. Migliorato andP. Perfetti: Istituto di Fisica dell’Università, Roma, Nota Interna No. 571 (1974).Google Scholar
  8. (8).
    T. Kato:Perturbation Theory for Linear Operators (Berlin, 1966);K. Yoshida:Functional Analysis (Berlin, 1968).Google Scholar
  9. (9).
    N. Dunford andJ. Schwartz:Linear Operators (New York, N. Y., 1967).Google Scholar
  10. (10).
    For instance, it has been proposed in ref. (7)G. Margaritondo, F. Cerrina, P. Migliorato andP. Perfetti: Istituto di Fisica dell’Università, Roma, Nota Interna No. 571 (1974), that the diffusion currents could explain the absence of NDR for small interelectrode distances and high temperatures.Google Scholar

Copyright information

© Società Italiana di Fisica 1975

Authors and Affiliations

  • F. Cerrina
    • 1
    • 2
  • G. Margaritondo
    • 1
    • 2
  • P. Migliorato
    • 1
    • 2
  • P. Perfetti
    • 1
    • 2
  • E. Salusti
    • 1
    • 2
  1. 1.Istituto di Fisica dell’ UniversitàRoma
  2. 2.Laboratorio di Elettronica dello Stato Solido del C.N.R.Roma

Personalised recommendations