Electron-hole effects on interband transitions between surface states in semiconductors

Summary

We present calculations of binding energies and wave functions for surface state excitons. Our use of the effective-mass approximation has been implemented by including central-cell corrections. Binding energies reported by recent experiments are obtained for surface electron and hole masses of order unity.

Riassunto

Presentiamo calcoli di energia di legame e funzioni d’onda per gli eccitoni degli stati di superficie. L’uso dell’approssimazione della massa effettiva è stato migliorato con l’inclusione delle correzioni di cella centrale. Abbiamo ottenuto le energie di legame misurate in esperimenti recenti, usando masse effettive dell’elettrone e della buca dell’ordine di uno.

Резюме

Вычисляются энергии связи и волновые функции экситонов поверхностных состояний. В работе используется приближение эффективной массы, включая поправки центральной ячейки. Из энергий связи, полученных в недавних экспериментах, следует, что массы электрона и дырки на поверхности оказываются первого порядка.