Advertisement

Il Nuovo Cimento B (1971-1996)

, Volume 39, Issue 2, pp 791–796 | Cite as

Electron-hole effects on interband transitions between surface states in semiconductors

  • R. Del Sole
  • E. Tosatti
Article

Summary

We present calculations of binding energies and wave functions for surface state excitons. Our use of the effective-mass approximation has been implemented by including central-cell corrections. Binding energies reported by recent experiments are obtained for surface electron and hole masses of order unity.

Электрон-дырочные эффекты в междузонных переходах между поверхностными состояниями в полупроводниках

Резюме

Вычисляются энергии связи и волновые функции экситонов поверхностных состояний. В работе используется приближение эффективной массы, включая поправки центральной ячейки. Из энергий связи, полученных в недавних экспериментах, следует, что массы электрона и дырки на поверхности оказываются первого порядка.

Riassunto

Presentiamo calcoli di energia di legame e funzioni d’onda per gli eccitoni degli stati di superficie. L’uso dell’approssimazione della massa effettiva è stato migliorato con l’inclusione delle correzioni di cella centrale. Abbiamo ottenuto le energie di legame misurate in esperimenti recenti, usando masse effettive dell’elettrone e della buca dell’ordine di uno.

Preview

Unable to display preview. Download preview PDF.

Unable to display preview. Download preview PDF.

Footnotes

  1. (1).
    G. J. Lapeyre andJ. R. Anderson:Phys. Rev. Lett.,35, 117 (1975).ADSCrossRefGoogle Scholar
  2. (2).
    P. E. Best:Phys. Rev. Lett.,34, 674 (1975);Phys. Rev. B,12, 5790 (1975).MathSciNetADSCrossRefGoogle Scholar
  3. (3).
    P. G. Harper andJ. A. Hilder:Phys. Stat. Sol.,26, 69 (1968).ADSCrossRefGoogle Scholar
  4. (4).
    R. Del Sole andE. Tosatti:Sol. State Comm.,21, in press.Google Scholar
  5. (5).
    J. D. Levine:Phys. Rev.,40, A 586 (1965).ADSCrossRefGoogle Scholar
  6. (6).
    J. A. Appelbaum andD. R. Hamann:Phys. Rev. Lett.,32, 225 (1974).ADSCrossRefGoogle Scholar
  7. (7).
    M. Altarelli andF. Bassani: inProceedings of the XI International Conference on the Physics of Semiconductors (Warszawa, 1972), p. 196.Google Scholar
  8. (8).
    A. Baldereschi andN. O. Lipari: inProceedings of the XIII International Conference on the Physics of Semiconductors (Roma, 1976), p. 595.Google Scholar
  9. (9).
    G. Srinivasan:Phys. Rev.,178, 1244 (1969).ADSCrossRefGoogle Scholar
  10. (10).
    D. E. Eastman andJ. L. Freeouf:Phys. Rev. Lett.,33, 1601 (1974).ADSCrossRefGoogle Scholar
  11. (11).
    C. Calandra F. Manghi andC. M. Bertoni: inProceedings of the XIII International Conference on the Physics of Semiconductors (Roma, 1976), p. 682.Google Scholar
  12. (12).
    G. Chiarotti, S. Nannarone, R. Pastore andP. Chiaradia:Phys. Rev. B,4, 3398 (1971).ADSCrossRefGoogle Scholar

Copyright information

© Società Italiana di Fisica 1977

Authors and Affiliations

  • R. Del Sole
    • 1
    • 2
  • E. Tosatti
    • 1
    • 2
  1. 1.Istituto di Fisica dell’UniversitàRomaItalia
  2. 2.Gruppo Nazionale di Struttura della Materia del C.N.R.RomaItalia

Personalised recommendations